24 июня, среда
Академический университет, Актовый зал
Пленарное заседание
Электрические, магнитные и оптические свойства наноструктур

Ведущий:

Т.В. Шубина

09:00–09:20

Д. Бареттин, Италия
Реалистичная модель активной области c квантовыми точками InGaN в структуре светодиода

09:20–09:40

Ю.В. Капитонов, Россия
Управление зарядовыми состояниями резонансных оптических возбуждений в квантовых ямах GaAs/AlGaAs посредством нерезонансной засветки

09:40–10:00

В.M. Устинов, Россия
Вертикально-излучающие лазеры с активными областями на основе напряженных гетероструктур AlGaInAs, выращенных МПЭ-методом

10:00–10:20

A.M. Смирнов, Россия
Нелинейные процессы при возбуждении экситонов в коллоидных квантовых точках двумя и тремя взаимодействующими лазерными лучами

10:20–10:40

Кофе-брейк
Наноструктуры с широко запрещенной зоной

Ведущий:

С.В. Иванов

10:40–11:10

Хироси Амано, Нобелевская премия по физике 2014 года, Япония
Развитие и будущее применение светодиодов на нитриде галлия

11:10–11:40

M. Чернышева, Франция
Нитридные нанопроводные светодиоды: от жестких источников света к гибким

11:40–12:00

T.В. Шубина, Россия
Квази-моды шепчущей галереи низких порядков в резонаторах, сформированных III-нитридными кристаллами, выращенными методом МПЭ

12:00–12:10

Перерыв
Транспорт в наноструктурах I

Ведущий:

М.С. Каган

12:10–12:30

Г.В. Будкин, Россия
Резонансный эффект квантового магнитного храповика в топологических изоляторах на основе напряженных пленок HgTe

12:30–12:50

A.В. Германенко, Россия
Слабая антилокализация дырок в квантовых ямах HgTe с сильным спин-орбитальным расщеплением спектра

12:50–13:10

M.В. Якунин, Россия
Трансформации инвертированной зонной структуры двойной квантовой ямы HgTe с приложением напряжения затвора

13:10–14:30

Обед

14:30–20:00

Экскурсия
© St Petersburg Scientific Forum